DDR3相比较起DDR2有更低的工作电压，从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更佳更加省电;DDR2的4bit预读升级为8bit预读。DDR3最高可以以2400Mhz的速度，因为最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3内存模组将会从800Mhz的起跳。在Computex大展我们看到多个内存厂商展出1333Mhz的DDR3模组。

DDR3在DDR2基础上采用的新型设计:

1.8bit预取设计，而DDR2为4bit预取，这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率只有100MHz。

2.采用点对点的拓扑架构，以减轻地址/命令与控制总线的负担。

3.采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从1.8V降至1.5V，增加异步重置(Reset)与ZQ校准功能。

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